STMicroelectronics STripFET II STP120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 687-5295
Herst. Teile-Nr.:: STP120NF10
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II STP120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: STP120NF10
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 120A 100V STripFET II D2PAK
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	STripFET II
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	10,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	312 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.4mm
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	172 nC bei 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.15mm

STMicroelectronics STripFET II STP120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

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