STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-263

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687-5065
Herst. Teile-Nr.:
STB120NF10T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STripFET II

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

172nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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