STMicroelectronics STripFET II STB120NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 687-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- STB120NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | 4,27 € | 8,54 € |
| 10 - 24 | 3,855 € | 7,71 € |
| 26 - 98 | 3,66 € | 7,32 € |
| 100 - 498 | 2,93 € | 5,86 € |
| 500 + | 2,595 € | 5,19 € |
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- 687-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- STB120NF10T4
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Produktdetails
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | STripFET II |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 312 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 172 nC bei 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 10.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 9.35mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 4.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 687-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- STB120NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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