STMicroelectronics STripFET II STB120NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 687-5065
Herst. Teile-Nr.:: STB120NF10T4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II STB120NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

4,255 €

(ohne MwSt.)

5,063 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	4,255 €	8,51 €
10 - 24	3,845 €	7,69 €
26 - 98	3,65 €	7,30 €
100 - 498	2,925 €	5,85 €
500 +	2,585 €	5,17 €

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RS Best.-Nr.:: 687-5065
Herst. Teile-Nr.:: STB120NF10T4
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 120A 100V STripFET II D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET II
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	10,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	312 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	9.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	172 nC bei 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics STripFET II STB120NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

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