STMicroelectronics STripFET II STB80NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 687-5080
Herst. Teile-Nr.:: STB80NF10T4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II STB80NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

3,085 €

(ohne MwSt.)

3,671 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	3,085 €	6,17 €
10 - 98	2,625 €	5,25 €
100 - 498	2,095 €	4,19 €
500 - 998	1,85 €	3,70 €
1000 +	1,57 €	3,14 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 687-5080
Herst. Teile-Nr.:: STB80NF10T4
Marke:: STMicroelectronics

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Produktdetails

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	STripFET II
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	135 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C