STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-6855
Herst. Teile-Nr.:
STB60NF06LT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

STripFET II

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.35 mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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