STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
STB55NF06T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

STripFET II

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.5nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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