STMicroelectronics STripFET II STB55NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 687-5197
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 5 | 1,532 € | 7,66 € |
| 10 - 20 | 1,386 € | 6,93 € |
| 25 - 95 | 1,292 € | 6,46 € |
| 100 - 495 | 1,012 € | 5,06 € |
| 500 + | 0,856 € | 4,28 € |
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- 687-5197
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06T4
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | STripFET II |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 9.35mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 44,5 nC bei 10 V |
| Länge | 10.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 4.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 687-5197
- Herst. Teile-Nr.:
- STB55NF06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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