STMicroelectronics STripFET II STB55NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 920-6608
Herst. Teile-Nr.:: STB55NF06T4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II STB55NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 920-6608
Herst. Teile-Nr.:: STB55NF06T4
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	STripFET II
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	18 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	44,5 nC bei 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.35mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics STripFET II STB55NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

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