STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-7788
Herst. Teile-Nr.:: STB30NF10T4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: STB30NF10T4
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 35A 100V STripFET II D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET II
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	45 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	115 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.35mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	40 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

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