STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-7300
Herst. Teile-Nr.:
STS5NF60L
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

DeepGate, STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.65mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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