STMicroelectronics DeepGate, STripFET STP260N6F6 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 760-9673
Herst. Teile-Nr.:: STP260N6F6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STP260N6F6 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 760-9673
Herst. Teile-Nr.:: STP260N6F6
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A, I2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	DeepGate, STripFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.4mm
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	183 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	15.75mm

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STP260N6F6 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

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