ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1700 V / 3.9 A 39 W, 7-Pin AN

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RS Best.-Nr.:
780-669
Herst. Teile-Nr.:
SCT2H12NWBTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Gehäusegröße

AN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

0V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.2mm

Länge

15.5mm

Höhe

4.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Siliziumkarbid-MOSFET von ROHM bietet eine leistungsstarke N-Kanal-Schaltung für das industrielle Hochspannungs-Leistungsmanagement. Dieses fortschrittliche SiC-Gerät wurde für Hilfsstromversorgungen entwickelt und gewährleistet eine überlegene Wärmeleitfähigkeit und geringere Schaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumkomponenten.

Drain-Quellenspannung von 1700 V

Kontinuierlicher Ablassstrom von 3,9 A

1,15 Ohm typischer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Hohe Verlustleistung von 39 W

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