ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 39 A 2 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 235-2774
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3P300BHTB1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 39 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 2 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 3.4 mm | |
| Länge | 3.15 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 15.5 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 36 nC | |
| Breite | 850 μm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 39 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 2 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 3.4 mm | ||
Länge 3.15 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 15.5 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 36 nC | ||
Breite 850 μm | ||
The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
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