STMicroelectronics SCT1000N170 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.7 kV / 7 A 96 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 212-2092
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT1000N170
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.7kV | |
| Serie | SCT1000N170 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.66Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 5.15mm | |
| Breite | 20.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.7kV | ||
Serie SCT1000N170 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.66Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 5.15mm | ||
Breite 20.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
SiC MOSFET
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden.
Hohe Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten
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