STMicroelectronics STGAP2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 4 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 152-180
- Herst. Teile-Nr.:
- STGAP2SICSNC
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | STGAP2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1GΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie STGAP2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1GΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der einfache Gate-Treiber von STMicroelectronics bietet eine galvanische Isolierung zwischen dem Gate-Antriebskanal und der Niederspannungsregelung und Schnittstellenschaltung. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine 4-A-Fähigkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch sich der Baustein auch für Anwendungen im mittleren und hohen Leistungsbereich eignet, wie z. B. Leistungsumwandlung und Motortreiber-Inverter in industriellen Anwendungen.
Separate Sink- und Source-Option für einfache Gate-Treiberkonfiguration
4-A-Miller-CLAMP-Option mit eigenem Pin
UVLO-Funktion
Gate-Treiberspannung bis zu 26 V
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