STMicroelectronics STO67N60M6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 34 A, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
206-8633
Herst. Teile-Nr.:
STO67N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STO67N60M6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Die MDmesh M6-Technologie von STMicroelectronics umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ-MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh-Geräten mit seiner neuen M6-Technologie auf, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten verfügbaren Schaltverhaltensweisen sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung kombiniert.

Reduzierte Schaltverluste

Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

100 % Avalanche-getestet

Zener-geschützt

Gehäuse mit hoher Verriegelung

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Antriebsstifts

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