STMicroelectronics STP50N60DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 36 A 250 W, 8-Pin TO-LL

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Herst. Teile-Nr.:
STP50N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STP50N60DM6

Gehäusegröße

TO-LL

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.4mm

Breite

10 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

28.9mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

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