STMicroelectronics Einfach FDmesh N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 51 A 350 W,
- RS Best.-Nr.:
- 761-0336
- Herst. Teile-Nr.:
- STW55NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 761-0336
- Herst. Teile-Nr.:
- STW55NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | FDmesh | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 51 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 350 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.3 V | |
| Höhe | 20.15 mm | |
| Länge | 15.75 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 60 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -25 V, +25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 190 nC | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie FDmesh | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 51 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 350 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.3 V | ||
Höhe 20.15 mm | ||
Länge 15.75 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 60 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -25 V, +25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 190 nC | ||
Breite 5.15 mm | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
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