STMicroelectronics FDmesh STP11NM60ND N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 760-9982
Herst. Teile-Nr.:: STP11NM60ND
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics FDmesh STP11NM60ND N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 760-9982
Herst. Teile-Nr.:: STP11NM60ND
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	FDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	450 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	90 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Länge	10.4mm
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	30 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	15.75mm