STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
791-7801
Herst. Teile-Nr.:
STP13NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

109 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24,5 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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