STMicroelectronics FDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin STD13NM60ND TO-252

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791-9285
Herst. Teile-Nr.:
STD13NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

109W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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