STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-6595
Herst. Teile-Nr.:
STD13NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

FDmesh

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-25V, +25V

Maximale Verlustleistung Pd

109W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Breite

6.2mm

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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