STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 761-0629
Herst. Teile-Nr.:: STW20NM60FD
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: STW20NM60FD
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	FDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	290 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	214 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	5.15mm
Länge	15.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	37 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	-65 °C

STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

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