STMicroelectronics Einfach FDmesh N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 51 A 350 W,

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RS Best.-Nr.:
103-1993
Herst. Teile-Nr.:
STW55NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

FDmesh

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

51 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

350 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-247

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

1.3 V

Höhe

20.15 mm

Länge

15.75 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

60 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-25 V, +25 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

190 nC

Breite

5.15 mm

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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