STMicroelectronics N-Kanal STO60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 55 A, 8-Pin TO-LL

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RS Best.-Nr.:
358-979
Herst. Teile-Nr.:
STO60N045DM9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Betriebsfrequenz

1 MHz

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Ausgangsleistung

255W

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STO60

Gehäusegröße

TO-LL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

10 mm

Länge

11.88mm

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der neuesten Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs geeignet ist. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsverfahren, das eine verbesserte Bauelementestruktur ermöglicht. Die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Zeit (trr) und RDS(on) aus, sodass dieser schnell schaltende Super-Junction-Power-MOSFET für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenschieber-Wandler geeignet ist.

Schnell erholende Body-Diode

Sehr niedriger FOM

Geringe Eingangskapazität und Widerstand

100 Prozent lawinengeprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

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