STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7

Alle MOSFET anzeigen
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
RS Best.-Nr.:
214-951
Herst. Teile-Nr.:
SCT025H120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

55 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

SCT025H120G3AG

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Verwandte Links