STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
214-951
Herst. Teile-Nr.:
SCT025H120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT025H120G3AG

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.8mm

Länge

15.25mm

Breite

10.4mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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