STMicroelectronics Sixpack-Topologie M2P45M12W2 Typ N-Kanal 6, Durchsteckmontage MOSFET-Arrays 1200 V Erweiterung / 30
- RS Best.-Nr.:
- 640-673
- Herst. Teile-Nr.:
- M2P45M12W2-1LA
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | ACEPACK DMT-32 | |
| Serie | M2P45M12W2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Sixpack-Topologie | |
| Länge | 44.50mm | |
| Breite | 27.90 mm | |
| Höhe | 5.90mm | |
| Normen/Zulassungen | AQG 324, Automotive‐grade | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 6 | |
| Automobilstandard | AQG 324 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße ACEPACK DMT-32 | ||
Serie M2P45M12W2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 32 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Sixpack-Topologie | ||
Länge 44.50mm | ||
Breite 27.90 mm | ||
Höhe 5.90mm | ||
Normen/Zulassungen AQG 324, Automotive‐grade | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 6 | ||
Automobilstandard AQG 324 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Powermodul von STMicroelectronics für die Automobilindustrie kommt in einem ACEPACK DMT-32-Gehäuse. Es implementiert eine Sixpack-Topologie mit Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) der zweiten Generation, die für die DC/DC-Wechselrichterstufe in On-Board-Ladegeräten (OBC) für Hybrid- und Elektrofahrzeuge optimiert ist. Es wurde für hocheffiziente und hochfrequente Schaltvorgänge entwickelt und verfügt über einen NTC-Thermistor zur Temperaturüberwachung sowie ein mit Aluminiumnitrid (AlN) isoliertes Substrat für hervorragende thermische Leistung.
1200 V Sperrspannung für Hochspannungsanwendungen
Typischer RDS(on) von 47,5 mΩ für reduzierte Leitungsverluste
Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C für thermische Robustheit
DBC Cu-AlN-Cu-Substrat für effiziente Wärmeableitung
3 kV Isolationsspannung für erhöhte Sicherheit
Integrierter NTC-Sensor für thermisches Feedback in Echtzeit
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