STMicroelectronics M2TP80M12W2 Typ N-Kanal 8, Durchsteckmontage MOSFET-Arrays 1200 V Erweiterung / 30 A, 32-Pin ACEPACK
- RS Best.-Nr.:
- 640-674
- Herst. Teile-Nr.:
- M2TP80M12W2-2LA
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | M2TP80M12W2 | |
| Gehäusegröße | ACEPACK DMT-32 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 114mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.10V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 44.50mm | |
| Normen/Zulassungen | AQG 324 | |
| Höhe | 5.90mm | |
| Breite | 27.90 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 8 | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie M2TP80M12W2 | ||
Gehäusegröße ACEPACK DMT-32 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 32 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 114mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.10V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 44.50mm | ||
Normen/Zulassungen AQG 324 | ||
Höhe 5.90mm | ||
Breite 27.90 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 8 | ||
Automobilstandard AEC | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das hocheffiziente, für den Automobilbereich geeignete Leistungsmodul von STMicroelectronics im ACEPACK DMT-32-Gehäuse. Es implementiert eine 3-Phasen-4-Draht-Topologie zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit sechs Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) der zweiten Generation und zwei Gleichrichterdioden. Es wurde für die PFC-Stufe von Bordladegeräten (OBCs) in Elektro- und Hybridfahrzeugen entwickelt und bietet eine kompakte, thermisch optimierte Lösung mit integrierter Temperaturerfassung.
1200 V Siliziumkarbid-MOSFETs mit einem typischen RDS(on) von 84 mΩ
Implementiert eine 3-Phasen-Vierleiter-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) Topologie
Umfasst 1200 V / 20 A Gleichrichterdioden
Integrierter NTC-Thermistor für Temperaturüberwachung in Echtzeit
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