STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 32 A, 3-Pin ACEPACK SMIT

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 200 Stück)*

3.330,80 €

(ohne MwSt.)

3.963,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
200 - 20016,654 €3.330,80 €
400 +16,238 €3.247,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
261-5477
Herst. Teile-Nr.:
SH32N65DM6AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

ACEPACK SMIT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Die N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Kombination von STMicroelectronics in der Kfz-Klasse besteht aus zwei MOSFETs in einer Halbbrückentopologie. Das ACEPACK SMIT ist ein sehr kompaktes und robustes Stromversorgungsmodul in einem SMD-Gehäuse für einfache Montage. Das DBC-Substrat, das ACEPACK SMIT-Gehäuse, bietet einen niedrigen Wärmewiderstand in Verbindung mit einem isolierten Wärmepolster auf der Oberseite. Die hohe Designflexibilität des Gehäuses ermöglicht mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Boost und Einzelschalter durch verschiedene Kombinationen der internen Netzschalter.

Halbbrücken-Stromversorgungsmodul

650 V Sperrspannung

Gehäusediode für schnelle Erholung

Sehr niedrige Schaltenergien

Niedrige Gehäuseinduktivität

Verwandte Links

Recently viewed