STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 32 A, 3-Pin ACEPACK SMIT

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RS Best.-Nr.:
261-5477
Herst. Teile-Nr.:
SH32N65DM6AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

ACEPACK SMIT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Die N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Kombination von STMicroelectronics in der Kfz-Klasse besteht aus zwei MOSFETs in einer Halbbrückentopologie. Das ACEPACK SMIT ist ein sehr kompaktes und robustes Stromversorgungsmodul in einem SMD-Gehäuse für einfache Montage. Das DBC-Substrat, das ACEPACK SMIT-Gehäuse, bietet einen niedrigen Wärmewiderstand in Verbindung mit einem isolierten Wärmepolster auf der Oberseite. Die hohe Designflexibilität des Gehäuses ermöglicht mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Boost und Einzelschalter durch verschiedene Kombinationen der internen Netzschalter.

Halbbrücken-Stromversorgungsmodul

650 V Sperrspannung

Gehäusediode für schnelle Erholung

Sehr niedrige Schaltenergien

Niedrige Gehäuseinduktivität

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