STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 53 A 424 W, 8-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 152-113
- Herst. Teile-Nr.:
- SH63N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 64mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 424W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.55V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AQG 324 | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 424W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.55V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AQG 324 | ||
Automobilstandard AEC | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei MOSFETs in einer Halbbrückentopologie. Das ACEPACK SMIT ist ein sehr kompaktes und robustes Stromversorgungsmodul in einem SMD-Gehäuse für eine einfache Montage. Dank des DBC-Substrats bietet das ACEPACK SMIT-Gehäuse einen niedrigen Wärmewiderstand in Verbindung mit einem isolierten Wärmepolster auf der Oberseite. Die hohe Designflexibilität des Gehäuses ermöglicht mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Boost und Einzelschalter durch verschiedene Kombinationen der internen Netzschalter.
AQG 324 qualifiziert
Halbbrücken-Stromversorgungsmodul
650 V Blockierungsspannung
Schnell erholende Body-Diode
Sehr niedrige Schaltenergie
Geringe Gehäuseinduktivität
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