Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

Aufgrund geplanter Wartungsarbeiten wird unsere Website von Freitag 21. Juni, 21:00 Uhr, bis Sonntag 23. Juni, 23:00 Uhr, nicht verfügbar sein. Bitte entschuldigen Sie etwaige Unannehmlichkeiten.

STMicroelectronics STWA68N65DM6AG N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 72 A, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 225-0679
Herst. Teile-Nr.:: STWA68N65DM6AG
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STWA68N65DM6AG N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 72 A, 3-Pin TO-247

999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück

15,52 €

(ohne MwSt.)

18,47 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	15,52 €
10 - 99	14,23 €
100 - 249	13,13 €
250 - 499	12,19 €
500 +	11,86 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 225-0679
Herst. Teile-Nr.:: STWA68N65DM6AG
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - STMicroelectronics_STWA68N65DM6AG.pdf

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt

629

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	72 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,039 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si