STMicroelectronics STWA68N65DM6AG N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 72 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 225-0679
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA68N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Preis pro Stück
16,25 €
(ohne MwSt.)
19,34 €
(inkl. MwSt.)
597 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,25 € |
| 10 - 99 | 14,91 € |
| 100 - 249 | 13,75 € |
| 250 - 499 | 12,77 € |
| 500 + | 12,41 € |
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 225-0679
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA68N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
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Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 72 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,039 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.75V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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