STMicroelectronics DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 250 W, 3-Pin TO-247

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204-3948
Herst. Teile-Nr.:
STW50N65DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

DM6

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

91mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.15mm

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

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