STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 53 A 424 W, 8-Pin ACEPACK SMIT

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RS Best.-Nr.:
152-112
Herst. Teile-Nr.:
SH63N65DM6AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

53A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

ACEPACK SMIT

Serie

MDmesh DM6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

64mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

424W

Durchlassspannung Vf

1.55V

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AQG 324

Automobilstandard

AEC

Ursprungsland:
CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei MOSFETs in einer Halbbrückentopologie. Das ACEPACK SMIT ist ein sehr kompaktes und robustes Stromversorgungsmodul in einem SMD-Gehäuse für eine einfache Montage. Dank des DBC-Substrats bietet das ACEPACK SMIT-Gehäuse einen niedrigen Wärmewiderstand in Verbindung mit einem isolierten Wärmepolster auf der Oberseite. Die hohe Designflexibilität des Gehäuses ermöglicht mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Boost und Einzelschalter durch verschiedene Kombinationen der internen Netzschalter.

AQG 324 qualifiziert

Halbbrücken-Stromversorgungsmodul

650 V Blockierungsspannung

Schnell erholende Body-Diode

Sehr niedrige Schaltenergie

Geringe Gehäuseinduktivität

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