STMicroelectronics STL24N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 18 A, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
- RS Best.-Nr.:
- 233-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- STL24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | STL24N60M2 | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT 8 x 8 HV | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,186 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie STL24N60M2 | ||
Gehäusegröße PowerFLAT 8 x 8 HV | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,186 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.
Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerschutz
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerschutz
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