STMicroelectronics STL26N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
- RS Best.-Nr.:
- 192-4658
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,875 € | 5.625,00 € |
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- 192-4658
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- STL26N60DM6
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | PowerFLAT 8 x 8 HV |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 215 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.75V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.25V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±25 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 8.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Länge | 8.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 0.9mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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