STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

10,38 €

(ohne MwSt.)

12,35 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,076 €10,38 €
25 - 451,948 €9,74 €
50 - 1201,85 €9,25 €
125 - 2451,748 €8,74 €
250 +1,658 €8,29 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
192-4825
Herst. Teile-Nr.:
STL10N60M6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

660mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh TM umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links