STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 160 W, 5-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
192-4899
Herst. Teile-Nr.:
STL45N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Breite

8.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

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