STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 160 W, 5-Pin PowerFLAT

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

9,66 €

(ohne MwSt.)

11,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 64 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +4,83 €9,66 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
192-4899
Herst. Teile-Nr.:
STL45N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links

Recently viewed