STMicroelectronics ST8L60 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 39 A 202 W, 5-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 648-108
- Herst. Teile-Nr.:
- ST8L60N065DM9
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 39A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | ST8L60 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 202W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8.10mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 8.10 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 39A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie ST8L60 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 202W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8.10mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 8.10 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer schnellen Erholungsdiode geeignet ist. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsverfahren, das eine verbesserte Bauelementestruktur ermöglicht. Die schnelle Wiederherstellungsdiode mit sehr niedriger Wiederherstellungsladung (Qrr), Zeit (trr) und RDS(on) macht diesen Super-Junction-Leistungs-MOSFET mit schneller Schaltung für die anspruchsvollsten Hochleistungsbrückentopologien und ZVS-Phasenschiebewandler geeignet.
Niedrige Gate-Ladung
Geringe Eingangskapazität und Widerstand
100 Prozent lawinengeprüft
Ausgezeichnete Schaltleistung
PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse
RoHS-Konformität
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