STMicroelectronics ST8L65 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 650 V / 58 A 166 W, 5-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
648-109
Herst. Teile-Nr.:
ST8L65N044M9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

ST8L65

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Breite

8.10 mm

Länge

8.10mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Er verfügt über einen der niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen siliziumbasierten Super-Junction-Leistungs-MOSFETs mit schneller Schaltung, womit er sich besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Leichte Ansteuerung

100 Prozent lawinengeprüft

Ausgezeichnete Schaltleistung

PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse

RoHS-Konformität

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