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    onsemi UltraFET HUF76633P3_F085 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 39 A 145 W, 3-Pin TO-220AB

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    RS Best.-Nr.:
    145-4421
    Herst. Teile-Nr.:
    HUF76633P3_F085
    Marke:
    onsemi

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.39 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    SerieUltraFET
    GehäusegrößeTO-220AB
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.35 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.145 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10.67mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs56 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite4.7mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe16.3mm

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