onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
145-4426
Herst. Teile-Nr.:
FCP190N65F
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SuperFET II

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

168 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

208 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Breite

4.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

16.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Verwandte Links