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    onsemi SuperFET II FCPF190N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 39 W, 3-Pin TO-220F

    Voraussichtlich ab 11.02.2025 verfügbar.
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    Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

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    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    864-7913
    Herst. Teile-Nr.:
    FCPF190N60
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.20 A
    Drain-Source-Spannung max.600 V
    GehäusegrößeTO-220F
    SerieSuperFET II
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.170 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2.5V
    Verlustleistung max.39 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Breite4.9mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs57 nC @ 10 V
    Länge10.36mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe16.07mm

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