onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 4.5 A 33.8 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 145-4673
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF6N60ZUT
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
37,35 €
(ohne MwSt.)
44,45 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,747 € | 37,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4673
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF6N60ZUT
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Serie | UniFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Serie UniFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 16.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220F
