onsemi MTP3055VL N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 48 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-5555
- Herst. Teile-Nr.:
- MTP3055VL
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
49,75 €
(ohne MwSt.)
59,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 850 Einheit(en) mit Versand ab 21. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,995 € | 49,75 € |
| 100 + | 0,935 € | 46,75 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-5555
- Herst. Teile-Nr.:
- MTP3055VL
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | MTP3055VL | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie MTP3055VL | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.