onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 131 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 325-7625
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 131W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 131W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.4mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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