onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 131 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
325-7625
Herst. Teile-Nr.:
RFP50N06
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

MegaFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

131W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.4mm

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor


Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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