onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 131 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-1672
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
50,60 €
(ohne MwSt.)
60,20 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 150 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,012 € | 50,60 € |
| 100 - 450 | 0,857 € | 42,85 € |
| 500 - 950 | 0,746 € | 37,30 € |
| 1000 + | 0,724 € | 36,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1672
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 131W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 131W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi MegaFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi MegaFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi MegaFET N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi MTP3055VL Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-220