onsemi MegaFET N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 16 A 72 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-2971
Herst. Teile-Nr.:
RFD16N05SM9A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

16 A

Drain-Source-Spannung max.

50 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

MegaFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

47 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

72 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

80 nC @ 20 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor


Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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