onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5,5 A 117 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
163-2672
Herst. Teile-Nr.:
NDD05N50ZT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,5 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Verlustleistung max.

117 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

6.73mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18,5 nC bei 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.38mm

Ursprungsland:
US

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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