onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 671-0986
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD1N80TM
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,152 € | 5,76 € |
| 50 - 95 | 0,994 € | 4,97 € |
| 100 - 495 | 0,862 € | 4,31 € |
| 500 - 995 | 0,756 € | 3,78 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0986
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD1N80TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 6.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,5 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 6.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,5 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 2.3mm | ||
- Ursprungsland:
- MY
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