Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 3,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
onsemi FQD7P20TM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5.7 A 2.5 W, 3-Pin FQD7P20TM TO-252
RS Best.-Nr.
671-1034

Stück (In einer VPE à 5)

1,028 €

(ohne MwSt.)

1,223 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
540-9698
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9220PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

3,6 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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