onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-1793
Herst. Teile-Nr.:
FQD2N80TM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,8 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

QFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

6.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Länge

6.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

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