onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 66 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
809-0907P
Herst. Teile-Nr.:
FDD6670A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

66 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

13 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

63 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16 nC @ 5 V

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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